Новый этап в развитии физики рентгеновских лучей   ::   Китайгородский Александр Исаакович

Авторы определяют рентгеновскую литографию, как применение рентгеновской микроскопии для изготовления микроэлектронных схем. Для этой цели нужно располагать маской, изготовленной из материала, поглощающего рентгеновские лучи, нужен «резист» высокого разрешения, чувствительный по отношению к рентгеновским лучам, и сильный источник мягких рентгеновских лучей, которые действовали бы через маску на «резист».

Рентгеновские лучи производятся обычным способом – бомбардировкой электронами охлаждаемого водой анода (энергия электронов 5–10 кэВ ). Маска позволяет рентгеновским лучам воздействовать лишь на нужные участки резиста, который после проявления дает изображение маски.

Статья построена как техническое описание области. Сначала обсуждается вопрос о том, какие длины волн рентгеновских лучей наиболее подходят для целей литографии. Затем идет речь о выборе материала для мембран, из которых изготовляются маски. Годятся силиконовые мембраны, нитрид кремния, органические пленки. Каждый из них имеет свои достоинства и недостатки. Далее рассматриваются подходящие источники рентгеновских лучей. Для литографии не подходят обычные трубки, поскольку излучаемый ими спектр содержит лучи слишком жесткие, чтобы обеспечить контрастность маски и заставить их поглощаться в достаточной степени в материале резиста. Авторы приводят схемы нескольких подходящих установок, но в конце рассмотрения напоминают, что к. п. д. всех подобных установок, как известно, очень низкий, а именно меньше одной десятой доли процента.

Достаточно успешными были попытки использовать для литографии в качестве источника рентгеновских лучей горячую плазму, создаваемую неодимовым лазером, а также синхротронное излучение.

Пленки органических полимеров служат в качестве резистов. Авторы приводят подробные данные в отношении полиметилметакрилата. Фотографии полученных в этом материале профилей с помощью ?-излучения алюминия оставляют сильное впечатление (использовались золотые маски толщиной 0,9 и 0,4 мкм ; начальная толщина резиста была 1,5 мкм ). В статье приводится много фотографий и таблиц, дающих представление о достигаемом разрешении. Рассматриваются все шаги создания на объекте интегральной схемы и дается описание технологического процесса, выбранного авторами. Рентгеновская литография уже использовалась для создания диодов, полевых и других транзисторов. Авторы высоко оценивают будущее этого метода.

Остановимся на другой большой статье сборника, трактующей проблемы рентгеновской и нейтронной интерферометрии. Этот метод был предложен 13 лет назад.

Интерферометрия волн малой длины является мощным инструментом исследования дефектов в кристаллах, близких к идеальным. Эта же техника позволяет измерять рассеивающие способности атомов и абсолютные значения параметров решетки кристаллов.

Осуществление интерференции рентгеновских лучей и нейтронов происходит совсем не так, как в оптике. Из крупных монокристаллов кремния, германия, кварца (я перечисляю вещества, которые больше всего были изучены этим методом) изготовляются причудливые геометрические фигуры, позволяющие расщепить первичный луч так, чтобы две компоненты были раздвинуты по крайней мере на 0,5 см . Далее лучи отражаются от кристаллических плоскостей (чаще используется так называемое лауэвское отражение, т. е. тот случай, когда при селективном отражении от атомных плоскостей кристалла луч входит в кристалл с одной стороны, а выходит с другой) и потом сводятся в одну точку с той или иной разностью хода. Изготовление интерферометров происходит с помощью алмазной пилы и последующей полировки смесью кислот.

Основное применение – это дефектоскопия.